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當(dāng)前位置：秋山科技（東莞）有限公司>>技術(shù)文章>>日本NGK半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷加熱器產(chǎn)品介紹
它使用氮化鋁（ALN），具有出色的導(dǎo)熱率，并通過將其與電阻加熱元件一起燒結(jié)，可以達(dá)到好的熱均勻性，并且顯著降低了金屬污染的雜質(zhì)。
它使用ALN陶瓷，具有出色的導(dǎo)熱率，可實(shí)現(xiàn)高溫均勻性。
除了電阻加熱元件外，散裝的RF電極還可以整體燒結(jié)到陶瓷中。
它還在鹵素氣體和氧化氣氛中表現(xiàn)出好的耐用性。
陶瓷板中的RF電極可用作靜電Chuck電極，用于晶片吸附。
| 尺寸 | 與200mm，300mm和450mm晶片兼容 |
|---|---|
| 電源 | 100-200V x 15-50a |
| 電極材料 | 將Ni Rod（電纜）連接到端子（低接頭，螺釘固定） |
| 加熱器材料 | Aln |
[典型價(jià)值]
| 氮化鋁 | ||||
|---|---|---|---|---|
| HA-12 | HA-37/38 | HA-50/51 | ||
| 純度 | [％] | 95 | 99 | 99 |
| 密度 | [g/cc] | 3.3 | 3.3 | 3.3 |
| 音量電阻率 | [ωCM]（RT） | > 1E+15 | 1E+8?+13 | > 1E+15 |
| 導(dǎo)熱率 | [W/MK]（RT） | 170 | 100 | 80 |
| 熱擴(kuò)展系統(tǒng)的數(shù)量 | （RT） | 5.7（1000℃） | 5.6（1000℃） | 5.6（1000℃） |
| 力量 | [MPA]（RT） | > 300 | > 300 | > 250 |
| 年輕的速度 | [GPA]（RT） | 300 | 300 | 300 |
| 介電常數(shù) | （13.56MHz，RT） | 8.6 | 8.8 | 8.6 |
靜電Chuck
它表現(xiàn)出高強(qiáng)度，高熱電導(dǎo)率和高熱沖擊性。 Nippon Gaishi的音量阻力控制技術(shù)可以容納廣泛的溫度范圍。
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各個(gè)部分
我們使用先進(jìn)的制造技術(shù)提供各種零件形狀，包括氮化鋁和氧化鋁陶瓷。
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