上海巨納科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：有序介孔碳-cmk-8 Ordered Mesoporous Carbon - cmk-8制備方法：模板法 空間群：la3d比表面積（平方米/克）：7...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：多孔碳 Porous Carbon密度（g/cm3）：~ 0.3粒徑（#181;m）（D50）：5或8灰分含量（%）：≤0.5% pH值：6.5-7....
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：無(wú)序介孔碳 Disordered Mesoporous制備方法：硬模板法合成比表面積（平方米/克）：600平均孔徑（納米）：50納米顆粒尺寸：1微米可...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：氮摻雜有序介孔碳 N-Doped Mesoporous Carbon制備方法：硬模板氮摻雜的介孔碳 CMK-3平均尺寸：1 um碳/氮（原子）：4.3...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：羧基石墨烯水溶液 Carboxyl Graphene Water Dispersion直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%純度：99...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：?jiǎn)螌友趸┮掖既芤?Single Layer Graphene Oxide Ethanol Dispersion制備方法：改良的H法濃度為5mg/...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：?jiǎn)螌友趸┧芤?Single Layer Graphene Oxide Water Dispersion新產(chǎn)品：gno1w001制備方法：改良的...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：氧化石墨烯（進(jìn)口） Graphite Oxide用H法制備，水溶性好直徑：0.5~5um厚度：1~3nm
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：?jiǎn)螌邮ㄟM(jìn)口） Single Layer Graphene高比表面積石墨烯制備方法：熱剝離還原與氫化還原BET比表面積（平方米/克）：400~10...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：石墨烯納米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets體積特性外觀：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%體積密度：0.10克/毫升...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：?jiǎn)螌邮ㄊ┘易澹㏒ingle Layer Graphene （Graphene Factory）BET比表面積（平方米/克）：650 ~ 75...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制備方法：改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑：1 ~ 5um厚度：...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：工業(yè)級(jí)石墨烯 Industrial-Quality Graphene制備方法：熱剝離還原厚度（nm）：≤3BET比表面積（平方米/克）：~ 600電阻...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：氮摻雜石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面積（平方米/克）：500 ~ 700電導(dǎo)率（S/m）gt; ...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：?jiǎn)螌友趸℉法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide （H Method）制備方法：改良的H法直徑：1~5um厚度：0...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1....
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our faciliti...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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