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重慶眺望科技有限公司
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ICP-RIESI500納米結構低損傷刻蝕由于等離子的能量分布低，從而能實現低損傷刻蝕和納米結構刻蝕
ICP-RIE SI 500
納米結構低損傷刻蝕
由于等離子的能量分布低，從而能實現低損傷刻蝕和納米結構刻蝕。
簡單高速率刻蝕
MEMS制造工藝中，Si材料光滑側壁的高速高選擇比刻蝕，可以很容易的通過室溫或低溫工藝實現。
內置ICP等離子源
平板三螺旋天線（PTSA）等離子源是SENTECH的等離子工藝系統(tǒng)。PTSA能產生高密度低能量分布的等離子體。
在多種材料刻蝕工藝中都能實現高效率耦合及穩(wěn)定起輝 。
動態(tài)溫控
襯底溫度設定和工藝過程中的穩(wěn)定性是影響刻蝕工藝質量的重要因素。ICP襯底電極結合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態(tài)溫控，工藝溫度范圍為-150 °C 至 +400 °C。
SENTECH面向高靈活性和高產能的刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級別的自動化裝置，從預真空系統(tǒng)到6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。
SI 500
ICP等離子刻蝕機
真空樣品室/load-lock
裝載200mm晶圓
樣品溫度 -20 °C ~ 300 °C
SI 500C
低溫ICP等離子刻蝕機
配置傳送腔和真空樣品室
樣品溫度 -150 °C ~ 400 °C
SI 500-RIE
RIE等離子刻蝕機
智能氦氣背部冷卻刻蝕
電容耦合等離子源
可升級到ICP等離子源PTSA200
SI 500-300
ICP等離子刻蝕機
真空樣品室/load-lock
裝載300mm晶圓
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